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SI4174DY-T1-GE3  与  BSO080P03NS3E G  区别

型号 SI4174DY-T1-GE3 BSO080P03NS3E G
唯样编号 A36-SI4174DY-T1-GE3 A-BSO080P03NS3E G
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.9mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.8mΩ 8mΩ
上升时间 - 47ns
Qg-栅极电荷 - -61nC
栅极电压Vgs ±20V 25V
正向跨导 - 最小值 - 44S
封装/外壳 SOIC-8 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 17A 14.8A
配置 - Single
长度 - 4.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 19ns
高度 - 1.75mm
漏源极电压Vds 2.2V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),5W(Tc) 2.5W
典型关闭延迟时间 - 64ns
FET类型 N-Channel P-Channel
系列 TrenchFET® OptiMOS3P3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 985pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 16ns
库存与单价
库存 52 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.782
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4174DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 17A 10.8mΩ 2.2V

¥1.782 

阶梯数 价格
30: ¥1.782
52 当前型号
IRF7809AVTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 9mΩ@15A,4.5V N-Channel 30V 13.3A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7805PBF-1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V SO-8 11mΩ N-Channel 12V 10A

暂无价格 0 对比
BSO083N03MSGXUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSO080P03NS3E G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO080P03NS3EGXUMA1_30V 14.8A 8mΩ 25V 2.5W P-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IRF7463TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8mΩ@14A,10V N-Channel 30V 14A 8-SO

暂无价格 0 对比

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